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7kW桩用硅基IGBT/MOS，开关频率20-50kHz，效率93-95%。
损耗分导通损耗（电流²×电阻，占60%）和开关损耗（电压×电流×时间×频率，占40%）。
7kW输出有350-500W变热量，须强制风冷。
SiC/GaN禁带宽度是硅的3倍，电子漂移速度快2-3倍。
直接结果：开关速度从50-100ns压到5-20ns，开关损耗降80-90%；同耐压下导通电阻Rdson降为1/5-1/10；体二极管几乎零反向恢复，消除拖尾损耗。
220W发热用自然散热即可，350W须强制风冷。
SiC 11kW桩可做成无风扇密封（IP67），省去风扇、散热片、防尘网，系统成本反而降。
磁性元件体积缩小30-50%，铜铁用量省。
SiC器件贵3-5倍，但散热取消省100元、风扇取消省50元、磁性元件缩小省材料、免维护省运维。
综合BOM：SiC 11kW比传统11kW贵200-400元，但比传统7kW只贵100-200元，效率却从93%提到98%。
结论：
SiC/GaN把开关损耗这个"效率黑洞"堵上，三相分散电流把导通损耗压下，实现"大功率、高效率、低发热、无风扇"。未来7kW硅基桩会被11kW SiC桩"降维打击"，7kW想活命也得换SiC。
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