临界导电模式(CRM)PFC 拓扑:采用 CRM 替代传统连续导电模式(CCM),通过谷底开通技术降低 MOSFET 开关损耗,同时减少高频噪声(可降低 20dB 以上)。该方案无需复杂的软开关辅助电路,成本增加约 5%,但效率提升 1-2%,且 EMI 显著改善。
随机扩频调制(SFM):将固定 PWM 频率(如 45kHz)改为 ±5% 范围内随机跳变,使辐射能量分散在较宽频段,降低峰值 10dB 以上,避免单一频率超标。此方法无需额外硬件成本,仅需在 MCU 软件中调整载波频率生成逻辑。
频率选择:22kW 充电桩建议采用 45-60kHz 开关频率,平衡开关损耗与 EMI。例如,Wolfspeed 的 22kW 参考设计采用 45kHz,既减小滤波器体积,又避免高频段辐射。
死区时间补偿:针对全桥电路,通过动态调整死区时间(500ns-2μs),避免上下管直通导致的 EMI 尖峰,同时减少功率器件的反向恢复损耗。
三级滤波网络:
低成本滤波器方案:采用海凌科 HLK-20EMI 模块(单价 7.5 元),集成共模电感、X/Y 电容,可直接通过 CISPR22 Class B 限值,节省约 30% 的分立元件成本。
分层与隔离:
寄生参数抑制:
双层屏蔽线缆:充电枪电缆采用内层铝箔 + 外层编织网结构,屏蔽效能≥80dB(10MHz-1GHz),屏蔽层单端接地(接 PE 线),避免地环路。
铁氧体磁环:在输入电源线、直流母线两端套铁氧体磁环(如 Fair-Rite 2643667701,磁导率 43),抑制 30MHz-100MHz 辐射,单颗成本约 0.5 元。
低损耗功率器件:选用低栅极电荷(Qg≤30nC)、低反向恢复时间(Trr≤50ns)的 MOSFET,如安森美的 NTMFS4933,降低开关噪声激发源,成本比 SiC 器件低 50% 以上。
国产安规电容:采用风华高科或三环集团的 Y2 电容(2200pF/500V DC),替代进口品牌,单价约 0.3 元,满足漏电流≤0.5mA 要求。
RC 缓冲电路:在 IGBT 漏极与源极间并联 RC 网络(50Ω+220pF),吸收开关尖峰(将 200V 尖峰降至 50V 以内),总成本约 0.8 元,替代复杂的软开关电路。
150kHz-1MHz 差模干扰:增加 X 电容容量至 0.47μF,或在 L/N 线分别串联差模电感(100μH/10A),成本增加约 1.2 元。
10MHz-30MHz 共模干扰:在变压器初级与次级间增加屏蔽层,或在 Y 电容回路串联铁氧体磁珠(如 TDK BLM21PG121SN1,阻抗 120Ω@100MHz),成本约 0.6 元。
传导骚扰测试:使用 LISN 配合频谱分析仪,按 CISPR 11 Class B 标准扫描,确保 150kHz-500kHz≤66dBμV,500kHz-30MHz≤56dBμV,预留 5-8dB 裕量。
辐射骚扰测试:在 3m 法半电波暗室中,确保 30MHz-1GHz≤40dBμV/m,重点优化 50MHz-100MHz 频段(避免线缆长度接近 λ/4)。

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